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HEXA BLOG日記2012.5.1

3Dトライゲート・トランジスタ

こんにちはー
週末に大阪市内の鶴見緑地公園までサイクリングをしてきたタイラです。
さて、先週末遂に第三世代CoreシリーズのCPUが発売されました。
以前からIvyBridgeと言われ 22nmプロセスルールで製造されたアーキテクチャです。
今回注目は、3Dトライゲート・トランジスタがついに採用された事です。
従来のトランジスタ(プレーナ・トランジスタとも)は電流を流すチャネル部分が溝で区切られていました。
この方式だと、微細化していくにつれ動作させるための電圧を高める必要がありました。
電圧を高めるとチャネル部分以外へ流れ出てしまう電流があり、発熱や動作不良の原因になっていました。
その為これ以上の微細化は困難ではないかと言われていました。
そして、それらの問題を解決するのが3Dトライゲート・トランジスタになります。
3Dトライゲート・トランジスタはチャネル部分が高さを持った構造になっており、
電流を流すチャネル部分の表面積が広く、より大きな電流を流せるようになっています。
その為従来のトランジスタより低電圧で動作させる事が出来、
ゲートの接合部分も設置面積が広がる為制御効率を上げる事が出来ます。
また、集積度も上げられる為より多くのトランジスタをダイに乗せる事が出来ます。
ちなみに「トライゲート」というのはチャネル立体的になり、
ゲートに接する面が3面あるので、「トライゲート」と言われるようです。
intelの発表では 22nmルールの3Dトライゲート・トランジスタは
32nmルールの従来型トランジスタに比べ
高電圧時で18% 低電圧時で最大37% 速度向上が図れるそうです
intelが3Dトライゲート・トランジスタを最初に発表してから10年が経過しています。
10年以上先を見据えて研究を続けていくというのは本当にすごいですね。
プログラムで10年先を見据えた研究は難しいですが、
何か数年先に必要になる技術を今から身に着けていこうと思います
それでは